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      漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      700

      导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      850

      最大漏（lòu）极电流（liú）Id(on)(A)：

      5

      通道极性：

      N沟道

      封装/温度(℃)：

      TO-251-3L(IPAK)/-55~125

      描（miáo）述：

      650V,850mΩ,5A,N沟道基于超级（jí）结技术的（de）功率MOSFET



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